在痕量物質(zhì)檢測(cè)領(lǐng)域，SERS（表面增強(qiáng)拉曼散射）技術(shù)憑借高靈敏度、快速響應(yīng)的優(yōu)勢(shì)備受關(guān)注，而性能優(yōu)異的SERS芯片則是這項(xiàng)技術(shù)的核心支撐。今天就為大家詳細(xì)解讀WSER-3 SERS芯片的使用指南，助你輕松掌握檢測(cè)要點(diǎn)！

一、SERS檢測(cè)原理：信號(hào)放大的“黑科技"

SERS檢測(cè)的核心邏輯是通過(guò)芯片基底將目標(biāo)分子的拉曼信號(hào)精準(zhǔn)放大，實(shí)現(xiàn)痕量物質(zhì)的快速識(shí)別。整個(gè)流程分為三步：

1. 樣品前處理：從復(fù)雜介質(zhì)中提取目標(biāo)物質(zhì)，排除干擾；

2. 負(fù)載目標(biāo)物質(zhì)：通過(guò)化學(xué)或物理吸附，讓目標(biāo)分子附著在SERS芯片的活性區(qū)域；

3.  信號(hào)檢測(cè)與識(shí)別：在顯微拉曼光譜儀的激發(fā)光作用下，芯片放大拉曼信號(hào)，儀器自動(dòng)識(shí)別并分辨目標(biāo)分子。

二、WSER-3芯片核心優(yōu)勢(shì)：實(shí)力鑄就精準(zhǔn)檢測(cè)

WSER-3 SERS芯片憑借出色性能，成為檢測(cè)實(shí)驗(yàn)的可靠助手，核心優(yōu)勢(shì)如下：

l   超高均勻性：同一芯片不同區(qū)域檢測(cè)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差（RSD）≤10%，數(shù)據(jù)重復(fù)性更穩(wěn)定；

l   強(qiáng)信號(hào)增強(qiáng)：增強(qiáng)因子（EF）＞10?，微弱信號(hào)也能被清晰捕捉；

l   長(zhǎng)效保質(zhì)期：氮?dú)鈿夥障驴杀４?80天以上，室溫干燥環(huán)境（保干器）中穩(wěn)定儲(chǔ)存；

l   靈活定制化：支持根據(jù)需求定制結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)及外觀尺寸，適配多樣化場(chǎng)景；

l   低樣品需求：最小樣品量?jī)H需2μL，減少樣品消耗。

三、標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)流程：四步輕松完成實(shí)驗(yàn)

1. 使用WSER-3芯片無(wú)需復(fù)雜操作，按以下步驟即可順利完成檢測(cè)：

2. 拆封取片：打開外包裝，取出塑料盒中保護(hù)的芯片，注意輕拿輕放；

3. 防污染預(yù)警：嚴(yán)禁讓芯片活性區(qū)域接觸任何物體表面，避免污染影響結(jié)果；

4. 載入樣品：根據(jù)樣品特性選擇加樣方式（滴加、旋涂或浸泡，下文詳解）；

5. 晾干檢測(cè)：待芯片盡數(shù)晾干后，放入顯微拉曼光譜儀進(jìn)行測(cè)試。

四、加樣方式：選對(duì)方法，結(jié)果更精準(zhǔn)

不同樣品適配不同加樣方式，快來(lái)看看哪種適合你的實(shí)驗(yàn)：

l    滴加法：用移液槍在活性區(qū)域滴加5μL左右樣品溶液，待溶劑自然揮發(fā)或適當(dāng)加熱加速揮發(fā)后檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單快捷；

l    蒸發(fā)法：通過(guò)吸附易揮發(fā)物質(zhì)的氣體分子實(shí)現(xiàn)加樣，適合揮發(fā)性較強(qiáng)的樣品；

l   浸泡法：將芯片浸沒于待測(cè)溶液中，吸附10分鐘以上后取出，用溶劑沖洗晾干再檢測(cè)。優(yōu)勢(shì)：檢測(cè)結(jié)果重現(xiàn)性更高，適合與芯片作用力較強(qiáng)的目標(biāo)物質(zhì)。

五、注意事項(xiàng)：這些細(xì)節(jié)決定實(shí)驗(yàn)成?。?/span>

1. 操作規(guī)范：接觸芯片必須戴手套，保持環(huán)境干凈，避免刮擦活性區(qū)域；

2.  環(huán)境控制：高空氣濕度或污染性氣體會(huì)增加表面污染風(fēng)險(xiǎn)，建議在潔凈干燥環(huán)境中操作；

3.   禁止重復(fù)使用：目標(biāo)分子與芯片強(qiáng)吸附后，解吸附處理會(huì)破壞芯片結(jié)構(gòu)，單次使用更可靠；

4.   參數(shù)優(yōu)化：測(cè)試參數(shù)直接影響結(jié)果，需提前優(yōu)化并保持一致：

a. 焦距：通過(guò)X-Y-Z三維平臺(tái)或固定焦距配件聚焦，確保激光焦平面在樣品表面；

b. 激光功率：功率密度≤1600W/cm2（如785nm激光、斑點(diǎn)直徑150μm時(shí)，功率不超過(guò)400mW），過(guò)高易導(dǎo)致分子碳化；

c. 積分時(shí)間與次數(shù)：提高積分時(shí)間/次數(shù)可增強(qiáng)信號(hào)，但會(huì)增加背景干擾和碳化風(fēng)險(xiǎn)，需平衡調(diào)試。

六、芯片規(guī)格速查表：關(guān)鍵參數(shù)一目了然

七、常見問(wèn)題解答：實(shí)驗(yàn)疑惑一次理清

1.  適用拉曼儀類型？芯片活性材料為Au，適配激光波長(zhǎng)633nm或785nm的拉曼檢測(cè)儀。

2.  如何判斷目標(biāo)分子是否為拉曼活性？可查閱文獻(xiàn)資料，或咨詢技術(shù)人員獲取專業(yè)建議。

3.   活性降低怎么辦？芯片活性會(huì)因緩慢氧化下降，建議氮?dú)獗４娌⒈M早使用，減緩氧化速度。

4.   能否重復(fù)使用芯片？不建議！解吸附處理會(huì)破壞芯片結(jié)構(gòu)，影響檢測(cè)準(zhǔn)確性，單次使用更可靠。

讓精準(zhǔn)檢測(cè)更簡(jiǎn)單，WSER-3芯片為你的實(shí)驗(yàn)添助力！